应变诱导的反铁磁 LuMnO3 薄膜中的铁磁性
材料科学
2013-08-19 v1
摘要
研究发现单相且受应变的 LuMnO3 薄膜表现出共存的铁磁和反铁磁序。一种在块体样品中不存在的大磁矩铁磁性（约 1 muB）显示出其磁矩分布峰值位于高应变的基底 - 薄膜界面处。我们进一步表明，应变诱导的铁磁性与反铁磁序通过交换场耦合，从而证明受应变的稀土锰酸盐薄膜是新型多功能器件的候选系统。
引用
@article{arxiv.1304.7200,
title = {Strain-induced ferromagnetism in antiferromagnetic LuMnO3 thin films},
author = {J. S. White and M. Bator and Y. Hu and H. Luetkens and J. Stahn and S. Capelli and S. Das and M. Döbeli and Th. Lippert and V. K. Malik and J. Martynczuk and A. Wokaun and M. Kenzelmann and Ch. Niedermayer and C. W. Schneider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.7200},
year = {2013}
}
备注
19 pages, main text plus supplemental information