用原子力显微镜测量磁迹缩写: 用于球形磁阻材料
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
本研究提出了一种新的测量磁迹缩写的方法, 其为原子力显微镜方法, 用于应用磁场. 实验允许我们优雅且教育的方式可视化当磁场施加后样品表面发生的横向磁弹性形变. 我们进一步用于观察磁迹缩写引起的应变, 最小可观测应变为 5*10-8, 并测量了 Ni、permalloy 和商业 Cu 线和薄膜, 以及纯 Cu 与 Pt 线, 结果与其他测量方法一致. 应用还涉及球形磁阻研究, 我们可同时测量磁迹缩写对磁阻的影响作出结论.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311567,
title = {Measuring Magnetostriction with an Atomic Force Microscope: Application to Wires in Ballistic Magnetoresistance},
author = {A. C. Papageorgopoulos and H. Wang and C. Guerrero and N. Garcia},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311567},
year = {2007}
}
备注
14 pages 4 figures submitted to APL