基于原子级薄范德瓦耳斯异质结的垂直磁各向异性电极隧穿器件
介观与纳米尺度物理
2017-10-31 v1
摘要
我们报道了由范德瓦耳斯异质结构成的隧穿器件的垂直铁磁电极的制备。我们发现六方氮化硼上的MgO/Co/Pt薄膜表现出垂直磁各向异性（PMA），其易轴垂直于衬底。真空退火增强了垂直各向异性。当Pt层厚度在1.5至5 nm范围内时，沿垂直方向的易轴持续至室温。我们采用该PMA电极在石墨烯和单层WSe2上构建隧穿器件，在不形成强肖特基势垒的情况下展示了自旋注入特性与场效应晶体管行为。
引用
@article{arxiv.1710.10743,
title = {Tunneling Devices with Perpendicular Magnetic Anisotropy Electrodes on Atomically Thin van der Waals Heterostructures},
author = {H. Idzuchi and T. Taniguchi and K. Watanabe and P. Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.10743},
year = {2017}
}