GaMnAs 隧道磁阻：超越 Jullière 公式
材料科学
2009-11-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
探讨了隧道磁阻 (TMR) 与自旋极化之间的关系，适用于载流子在强自旋轨道相互作用作用下的 GaMnAs/GaAlAs/GaMnAs 结构。我们采用 Landauer 方法计算 TMR。该材料由包含自旋轨道相互作用的 6 带 模型描述。铁磁性采用虚拟晶体均匀场近似法描述。我们的结果表明，TMR 是自旋极化和垛层厚度的函数。由于强自旋轨道相互作用，TMR 还取决于电流流动方向与电极磁化方向之间的夹角。这些结果削弱了 Jullière 公式的有效性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0405473,
title = {Tunnel Magneto-resistance in GaMnAs: going beyond Julli\`{e}re formula},
author = {L. Brey and C. Tejedor and J. Fernández-Rossier},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0405473},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 3 figures included