具有 AlMnAs 势垒的 GaMnAs 基磁性隧道结
材料科学
2015-05-14 v1
摘要
我们研究了包含不同厚度顺磁 AlMnAs 势垒的 GaMnAs 基磁性隧道结（MTJ）的自旋相关输运。AlMnAs 相对于 GaMnAs 费米能级的势垒高度估计为 110 meV。我们观察到高达 175%（在 2.6 K 下）的隧穿磁阻（TMR）比，这高于相同温区下具有其他势垒材料的 GaMnAs 基 MTJ。这些高 TMR 比主要归因于 AlMnAs 相对较高的晶体质量，以及对面内波矢 k||=0 附近隧穿概率的抑制。
引用
@article{arxiv.0912.3045,
title = {GaMnAs-based magnetic tunnel junctions with an AlMnAs barrier},
author = {Shinobu Ohya and Iriya Muneta and Pham Nam Hai and Masaaki Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.3045},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 3 figures, accepted for publication in Appl. Phys. Lett