磁性外尔半金属隧道结中的巨隧穿磁电阻
介观与纳米尺度物理
2021-07-07 v2
摘要
我们研究了由外尔半金属接触构成的磁隧道结(MTJs)中的隧穿磁电阻。我们表明,手性-磁化锁定导致巨大的隧穿磁电阻比,这一效应不依赖于隧穿势垒的自旋过滤。我们的结果表明,在反平行构型中的电导比具有普通铁磁体的MTJs对磁化涨落更敏感,并且当考虑实际的磁化涨落时,预测TMR可高达10^4%。此外,我们表明费米弧态导致电导对两个接触磁化之间失准角的非单调依赖关系。
引用
@article{arxiv.2103.05501,
title = {Gigantic tunneling magnetoresistance in magnetic Weyl semimetal tunnel junctions},
author = {D. J. P. de Sousa and C. O. Ascencio and P. M. Haney and J. P. Wang and Tony Low},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.05501},
year = {2021}
}
备注
Submitter did not receive the consent of all co-authors. Manuscript will be withdraw temporarily