反常隧道磁阻比例随着另类磁性体的变化
介观与纳米尺度物理
2025-09-16 v3 材料科学
计算物理
摘要
在常规磁性隧道接触点 (MTJ) 中，隧道磁阻 (TMR) 通常随隧道厚度增加而增大，因为在铝金磁配置下电子传输衰减速度快于平行配置。本文揭示了另类磁性隧道接触点 (AMTJ) 中的异常比例效应，即 TMR 随隧道厚度增加而异常降低。这种异常比例源于形成的自旋分裂分支重叠，形成一种在铝金磁配置下无法被抑制的传输路径。该现象通过双壁模型解释，并通过 2D V2Te2O/Cr2Se2O/V2Te2O 和 V2Te2O/ZnSe/V2Te2O AMTJ 的 ab initio 量子传输仿真进一步验证。我们的工作识别了 AMTJ 特有且出人意料的传输特征，为 AMTJ 器件设计提供了基本限制，同时说明了在单层极限下优化 AMTJ 设计的潜力。
引用
@article{arxiv.2505.17192,
title = {Unconventional tunnel magnetoresistance scaling with altermagnets},
author = {Zongmeng Yang and Xingyue Yang and Jianhua Wang and Qiang Li and Rui Peng and Ching Hua Lee and Lay Kee Ang and Jing Lu and Yee Sin Ang and Shibo Fang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.17192},
year = {2025}
}