铁磁体材料中的隧道磁阻效应
介观与纳米尺度物理
2025-09-09 v1
摘要
作为一种非常规磁体，反变磁性吸引了凝聚态物理学界的广泛关注，并为自旋电子学提供了新的研究平台。由于隧道磁阻（TMR）效应是自旋电子学中的重要研究方面，我们理论上提出了一种通用的反变磁性 sandwich 器件以实现 TMR 效应，并研究了其传输特性。使用非平衡 Green's 函数方法和 Landauer-B"uttiker 公式，我们获得了电导和 TMR 比值。通过系统性地旋转反变磁性和自旋的方向，我们研究了反变磁性方向如何影响电导和 TMR 比值，并全面演示了系统中电导和 TMR 比值对各种参数的依赖性。通过调节反变磁性强度和费米能，以及在反变磁性中旋转方向，TMR 比值可达到 1000% 以上。此外，我们分析了电导和 TMR 比值的详细对称关系。我们的ethods 提供了一种新的设计概念，用于基于反变磁性平台的下一代信息技术，为自旋电子学应用的开发指明了方向。
引用
@article{arxiv.2509.04015,
title = {Tunneling Magnetoresistance Effect in Altermagnets},
author = {Yu-Fei Sun and Yue Mao and Yu-Chen Zhuang and Qing-Feng Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.04015},
year = {2025}
}
备注
13 pages, 7 figures