基于传递矩阵法和仿真量化晶体学取向对隧道磁阻的影响
介观与纳米尺度物理
2024-11-12 v1 数学物理
math.MP
摘要
传递矩阵法（TMM）广泛用于分析一维或准一维系统的传输性质，例如自旋器件中的纳米结构和层状材料。然而，其在量化不同晶体学取向对隧道磁阻（TMR）影响方面的应用仍属较少探索的领域[1, 2]。本研究采用传递矩阵法构建取向特定矩阵，系统性地探讨在不同磁学和晶体学条件下的电导率变化。该方法有助于深化对晶体学取向如何调制TMR的理解，通过开发一种将TMM适应于考虑取向依赖性电子态和界面特征的框架[3]。从根本上说，TMM代表具有仅最近邻相互作用的系统的配分函数。它特别适合用于对取向磁性隧道结进行自旋依赖性电子隧穿建模[4, 5]。
引用
@article{arxiv.2411.06147,
title = {Quantifying Crystallographic Orientation Effects on Tunneling Magnetoresistance via Transfer Matrix and Simulation},
author = {Qiang Kang and Chenguang Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.06147},
year = {2024}
}
备注
19 pages, with a python code