自旋-谷位错配的反变磁体：巨型隧道磁阻
材料科学
2026-04-17 v1
摘要
反变磁体基质异结构在实验中已展示磁阻效应，但缺乏用于非铁磁结构的预测性理论模型。本工作发展了一种明确纳入横向波矢()依赖自旋极化的隧道导电理论，使我们能够预测巨型隧道磁阻(TMR)。基于该理论，我们预测反变磁体KVSeO可达到极限磁阻。通过进行第一性原理导电计算，我们验证，使用金属KVSeO作为电极、few-layer MgO作为间隙的磁隧道结， exhibits zero-bias magnetoresistance大于\%，该效应对偏置电压和间隙厚度均具有鲁棒性。我们的研究为下一代自旋电子器件提供定量设计原则，并将KVSeO/MgO/KVSeO确立为室温超高密度非易失存储器的领先材料体系。
关键词
引用
@article{arxiv.2604.14776,
title = {Spin-Valley-Mismatched Altermagnet for Giant Tunneling Magnetoresistance},
author = {Kun Yan and Yizhi Hu and Wei-Hua Xiao and Xiaolong Zou and Xiaobin Chen and Wenhui Duan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.14776},
year = {2026}
}
备注
8 pages, 5 figures. npj Computational Materials, in press