基于自旋谷位错的巨型隧穿磁阻
材料科学
2025-11-14 v1
摘要
半金属材料可实现完美自旋过滤，适用于高性能磁阻器件。然而，可用的半金属材料极其有限。本文表明，具有内在自旋谷位错 (SVM) 状态的材料可用于阻挡电荷输运，类似于半金属，从而实现巨型隧穿磁阻。以第一性输运计算为例，我们显示磁性 1\emph{T}-VSe、1\emph{T}-VS 和 2\emph{H}-VS 均为此类自旋谷位错金属，在这些金属作为电极构成的自旋阱型石墨烯 (vdW) 异构结构中，可实现超过 99% 的巨型磁阻。由于自旋态的内在错配，vdW 异构结构的中心层材料可任意选用非磁性材料。我们的研究为理解高磁阻机制提供了明确的物理见解，为寻找和设计高磁阻器件开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2511.10085,
title = {Giant tunneling magnetoresistance based on spin-valley-mismatched ferromagnetic metals},
author = {Kan Yan and Li Cheng and Yizhi Hu and Junjie Gao and Xiaolong Zou and Xiaobin Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.10085},
year = {2025}
}
备注
5 pages, 4 figures, 1 table