隧穿各向异性磁电阻的角度依赖性
介观与纳米尺度物理
2009-04-17 v1 其他凝聚态物理
摘要
基于一般对称性考虑，我们研究了隧穿各向异性磁电阻（TAMR）对磁化方向的依赖性如何由自旋轨道耦合场的具体形式决定。通过扩展先前为解释(001)铁磁体/半导体/正常金属磁性隧道结（MTJ）中TAMR主要趋势而提出的唯象模型[J. Moser {\it et al.}, Phys. Rev. Lett. 99, 056601 (2007)]，我们为不同生长方向的MTJ中的TAMR提供了统一的定性描述。特别是，我们预测了具有结构反演不对称性和/或体反演不对称性的(001)、(110)和(111) MTJ中TAMR角度依赖性的形式。还研究了面内单轴应变对TAMR的影响。
引用
@article{arxiv.0904.2467,
title = {Angular dependence of the tunneling anisotropic magnetoresistance},
author = {A. Matos-Abiague and M. Gmitra and J. Fabian},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.2467},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 1 figure