断裂结中隧穿各向异性磁电阻的起源
介观与纳米尺度物理
2014-06-06 v2 材料科学
摘要
对 Ni 和 Co 断裂结中电子隧穿输运的第一性原理计算揭示了电导对磁化方向的强烈依赖性，这种效应被称为隧穿各向异性磁电阻（TAMR）。这种现象的起源源于断裂结附近电极中局域的共振态。由于自旋轨道耦合，这些态的能量和展宽受到磁化取向的强烈影响，导致 TAMR 在几毫伏的尺度上对偏压敏感。我们的结果与最近的实验数据相似，并表明由共振态驱动的 TAMR 是磁性断裂接触和其他使用磁性尖端探测电子输运的实验几何结构中的普遍现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703345,
title = {The Origin of Tunneling Anisotropic Magnetoresistance in Break Junctions},
author = {J. D. Burton and R. F. Sabirianov and J. P. Velev and O. N. Mryasov and E. Y. Tsymbal},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703345},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 3 figures