由表面态介导的大隧穿各向异性磁电阻
介观与纳米尺度物理
2018-07-04 v1
摘要
我们利用扫描隧道显微镜在低温下研究了厚hcp Co薄膜中的隧穿各向异性磁电阻(TAMR)。在约-350 mV处，发现了高达30%的强TAMR，其具有特征电压依赖关系且符号反转。借助第一性原理(\textit{ab initio})计算，该TAMR可归因于一种自旋极化的占据表面态，其经历强自旋轨道相互作用，导致依赖于磁化方向与体态的杂化。
引用
@article{arxiv.1801.02004,
title = {Large Tunneling Anisotropic Magnetoresistance mediated by Surface States},
author = {Marie Hervé and Timofey Balashov and Arthur Ernst and Wulf Wulfhekel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.02004},
year = {2018}
}