通过类比干摩擦实现用于忆阻器应用的各向同性矫顽磁层
应用物理
2020-03-20 v1
摘要
我们研究基于面内磁化隧道结中隧穿电导对两磁电极磁化相对角度的依赖性来实现自旋电子忆阻器件的可能性。为此，有必要设计一种自由层，其磁化可稳定在平行与反平行磁构型之间若干甚至任意面内方向上。我们通过实验表明，这可利用反铁磁体-铁磁体交换相互作用在反铁磁体足够薄从而诱导增强矫顽力且无交换偏置的 regime 下实现。界面处因铁磁与反铁磁竞争相互作用导致的交换相互作用挫败是一种产生各向同性矫顽力的各向同性耗散机制的起源。从建模角度看，表明该各向同性耗散可由 Landau-Lifshitz-Gilbert 方程中的干摩擦项描述。本文解析与数值地研究了该干摩擦项对置于旋转面内场中的面内磁化层的磁化动力学的影响。还通过宏自旋模拟研究了利用来自附加垂直极化器的自旋转移矩控制面内磁化磁隧道结中自由层磁化取向的可能性。表明忆阻器功能可通过在存在垂直于参考层磁化的面内静态场（其目的在于将磁化旋转限制在 0° 与 180° 之间）下向堆栈注入电流脉冲来实现。
引用
@article{arxiv.2003.08850,
title = {Realizing an Isotropically Coercive Magnetic Layer for Memristive Applications by Analogy to Dry Friction},
author = {Marco Mansueto and Antoine Chavent and Stephane Auffret and Isabelle Joumard and Jayshankar Nath and Ioan M. Miron and Ursula Ebels and Ricardo C. Sousa and Liliana D. Buda-Prejbeanu and Ioan L. Prejbeanu and Bernard Dieny},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.08850},
year = {2020}
}
备注
24 pages, 9 figures