通过场冷却在 IrMn/MgO/Ta 隧道结中存储磁信息
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1 材料科学
摘要
我们制备了不含铁磁元素的隧道结，并表明通过将器件从 N\'eel 温度以上沿不同方向进行场冷却，可以设定不同的电阻状态。在 2T 的施加磁场（面内或面外）下进行场冷却时，发现电阻变化高达 10%。在 以下，我们发现亚稳态对磁场不敏感，从而构成了对外部磁场具有鲁棒性的存储单元。我们的工作展示了一种电可读的磁存储器件，该器件不含铁磁元素，并将信息存储在反铁磁活性层中。
引用
@article{arxiv.1302.3837,
title = {Storing magnetic information in IrMn/MgO/Ta tunnel junctions via field-cooling},
author = {D. Petti and E. Albisetti and H. Reichlová and J. Gazquez and M. Varela and M. Molina-Ruiz and A. F. Lopeandía and K. Olejník and V. Novák and I. Fina and B. Dkhil and J. Hayakawa and X. Marti and J. Wunderlich and T. Jungwirth and R. Bertacco},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.3837},
year = {2015}
}