通过Ta替代实现2H-WSe2中的巨量空穴掺杂
材料科学
2026-01-14 v1
摘要
过渡金属二硫族化物(TMDCs)家族被认为是未来电子学、谷电子学、自旋电子学和光电子学的有前途候选材料。由于硫族空位提供电子，大多数TMDCs是固有的n型半导体，实现固有的p型TMDCs并精确控制其电子特性仍然具有挑战性。在这项工作中，我们引入了一种通过将Ta原子替代到2H-WSe2中来获得固有空穴掺杂的强大方法。分子束外延生长与原位角分辨光电子能谱表征的结合研究清楚地表明，Ta替代诱导了显著的空穴掺杂，并为2H-WSe2中半导体到金属的转变提供了一种可能的途径。
引用
@article{arxiv.2601.08284,
title = {Giant Hole-doping in 2H-WSe2 via Ta Substitution},
author = {Minhee Kang and Woojin Choi and Choongyu Hwang and Jinwoong Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.08284},
year = {2026}
}