T-La2CuO4 薄膜中的 Ce 掺杂：高 Tc 超导中被打破的电子-空穴对称性
超导电性
2009-11-11 v1
摘要
我们尝试通过分子束外延在具有 K2NiF4 (T) 结构的 La2CuO4 中进行 Ce 掺杂。在较低的生长温度和适当的衬底选择下，我们发现 Ce 可以掺入 K2NiF4 晶格直至 x ~ 0.06，这在体材料合成中尚未实现。Ce 的掺杂使 T-La2-xCexCuO4 变得更具绝缘性，这与 Ce 掺杂 Nd2CuO4 结构的 La2CuO4 使化合物具有超导性形成了鲜明对比。观察到的从空穴掺杂侧 (T-La2-xSrxCuO4) 到电子掺杂侧 (T-La2-xCexCuO4) 电阻率的平滑增加表明，T 相材料中的电子-空穴对称性被打破。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501703,
title = {Ce doping in T-La2CuO4 films: Broken electron-hole symmetry for high-Tc superconductivity},
author = {A. Tsukada and H. Yamamoto and M. Naito},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501703},
year = {2009}
}
备注
proceedings of ISS 2004