层状半导体中弱拓扑绝缘体的预测
材料科学
2012-09-27 v1 强关联电子
摘要
我们报道了通过从头计算在蜂窝晶格中发现弱拓扑绝缘体。我们提出，原胞中具有奇数层结构是形成弱拓扑绝缘体的前提。其中，单层 KHgSb 因其 0.24 eV 的大块体能隙而成为最合适的候选材料。其侧表面存在金属表面态，形成两个各向异性 Dirac 锥。尽管偶数层结构的堆叠会导致平庸绝缘体，但如果晶体中存在额外的单层作为堆叠层错，这些结构可以容纳具有大块体能隙的量子自旋霍尔层。所报道的蜂窝化合物可作为原型，有助于在层状小能隙半导体中寻找新的弱拓扑绝缘体。
引用
@article{arxiv.1206.4399,
title = {Prediction of weak topological insulators in layered semiconductors},
author = {Binghai Yan and Lukas Muechler and Claudia Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4399},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 figures