弱拓扑绝缘体与复合Weyl半金属：$\beta$-Bi$_{4}$X$_{4}$ (X=Br, I)
介观与纳米尺度物理
2016-02-11 v1 材料科学
强关联电子
超导电性
摘要
尽管强拓扑绝缘体(STI)在理论预测后很快实验实现，弱拓扑绝缘体(WTI)尚待明确确认。主要障碍是缺乏独特的自然解理面来检验WTI的表面选择性标志。通过新方案，我们发现先前稳定或合成的BiX (X=Br, I)可以是具有两个自然解理面的WTI，其中两个各向异性狄拉克锥分别稳定和湮灭。我们进一步发现电荷掺杂下四个表面态Lifshitz转变和单轴应变下两个体态拓扑相变。在WTI-STI转变附近，出现新型Weyl半金属相，其中费米弧通常出现在两个解理面，而费米圆仅出现在一个选定表面。
引用
@article{arxiv.1509.07183,
title = {Weak Topological Insulators and Composite Weyl Semimetals: $\beta$-Bi$_{4}$X$_{4}$ (X=Br, I)},
author = {Cheng-Cheng Liu and Jin-Jian Zhou and Yugui Yao and Fan Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.07183},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 4 figures