单个 InAs/GaAs 量子点中中性激子自旋的光学排列与偏振转换
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们通过磁场中的光学排列和激子偏振转换，研究了单个自组装 InAs/GaAs 量子点中的激子自旋存储。成功采用了准共振声子辅助激发来定义中性激子的初始自旋偏振。沿亮激子本征轴产生的线性偏振守恒度高达 90%，以及从圆偏振到线性偏振的转换率高达 47%，这两者均表明相对于辐射寿命具有非常长的自旋弛豫时间。将结果与包含重空穴 - 轻空穴混合的伪自旋 1/2 模型进行了定量比较。
引用
@article{arxiv.0801.0571,
title = {Optical alignment and polarization conversion of neutral exciton spin in individual InAs/GaAs quantum dots},
author = {K. Kowalik and O. Krebs and A. Lemaître and J. A. Gaj and P. Voisin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.0571},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures