单自组装 In$_{1-x}$Ga$_x$As/GaAs 量子点中的激子自旋慢弛豫
材料科学
2015-06-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用原子经验赝势方法计算了单自组装 InGaAs/GaAs 量子点中声子辅助的激子自旋弛豫。我们表明，从亮激子态到暗激子态的跃迁是由库仑关联效应诱导的。通过复杂的组态相互作用计算获得的激子自旋弛豫时间在纯 InAs/GaAs 量子点中约为 15--55 s，在合金量子点中甚至更长。这些结果与先前表明激子自旋时间极短（几 ns）的理论和实验结果相矛盾，但与近期表明激子具有长自旋弛豫时间（ 1 s）的实验结果一致。
引用
@article{arxiv.1310.2688,
title = {Slow Exciton Spin Relaxation in Single Self-Assembled In$_{1-x}$Ga$_x$As/GaAs Quantum Dots},
author = {Hai Wei and Guang-can Guo and Lixin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.2688},
year = {2015}
}