超精细相互作用介导的 (In,Ga)As 量子点中激子自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2012-05-08 v2
摘要
通过双色泵浦-探测光谱在外加磁场下研究了 (In,Ga)As/GaAs 量子点中暗激子和亮激子的布居动力学。在法拉第几何结构施加磁场且 T<20 K 时，暗激子以十纳秒的时间尺度衰变，除非磁场诱导与亮激子态共振。在这些交叉点，由于电子或空穴的自旋翻转将暗激子转换为亮激子，它们的有效寿命急剧缩短。由于准弹性特征，我们将这些翻转的起源归因于与晶格原子核的超精细相互作用。我们比较了两种共振中的激子自旋弛豫时间，发现涉及电子的自旋翻转比空穴的自旋翻转快约 25 倍。温度升高导致暗激子寿命显著且非单调地减少。此时，由于自旋-轨道相互作用导致的声子介导的自旋翻转逐渐变得更加重要。
引用
@article{arxiv.0905.1586,
title = {Hyperfine interaction mediated exciton spin relaxation in (In,Ga)As quantum dots},
author = {H. Kurtze and D. R. Yakovlev and D. Reuter and A. D. Wieck and M. Bayer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.1586},
year = {2012}
}
备注
expanded version (cf. sections III.C and III.D)