少电子分子态及其在单一 InAs 量子点分子中的跃迁
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
我们研究了单个垂直耦合的自组装 InAs 量子点对中电子构型，仅包含少量电子。通过将磁场下的非线性单电子输运谱的实验数据与多体计算进行比较，确认了自旋和轨道构型，从而确认了在填充电子量子力学耦合的对称态和反对称态后形成分子态。随着磁场增大，对反对称态的填充不再受青睐，这导致了分子态中的各种磁场诱导跃迁。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510213,
title = {Few-electron molecular states and their transitions in a single InAs quantum dot molecule},
author = {T. Ota and M. Rontani and S. Tarucha and Y. Nakata and H. Z. Song and T. Miyazawa and T. Usuki and M. Takatsu and N. Yokoyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510213},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 3 figures, Accepted for publication in Phys. Rev. Lett