堆叠 InAs/GaAs 自组装量子点中异常量子受限 Stark 效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
垂直堆叠和耦合的 InAs/GaAs 自组装量子点 (SAD) 被预测在电场下表现出强烈的非抛物线化的带际跃迁能依赖，这种现象在单层 SAD 结构或其他类型的量子结构中均未观察到。我们的研究基于八能级应变相关的 哈密顿量表明，这种异常的量子受限 Stark 效应是由三维应变场分布引起的，该分布对堆叠 SAD 结构中空穴态的影响尤为显著。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107060,
title = {Anomalous quantum confined Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots},
author = {Weidong Sheng and Jean-Pierre Leburton},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107060},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures