InAs/GaAs 量子点光致发光压力系数
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们通过计算 17 个具有不同量子点形状、尺寸和合金轮廓的系统，研究了自组装 InAs/GaAs 量子点的带隙压力系数，采用原子尺度经验势阱方法，基于“受应力体态态能组合”方法。我们的结果确认了实验观察到的带隙压力系数从 bulk 值显著降低的现象。我们指出，bulk InAs 和 GaAs 的非线性压力系数正是导致这种降低的原因。我们还发现一种大致普遍的压力系数与带隙关系，与实验结果定量一致。我们发现，电子波函数在 GaAs 上的比例与量子点带隙和压力系数之间存在粗略的线性关系。这种线性关系可用于获取电子波函数的信息。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409442,
title = {Photoluminescence pressure coefficients of InAs/GaAs quantum dots},
author = {Jun-Wei Luo and Shu-Shen Li and Jian-Bai Xia and Lin-Wang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409442},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 2 tables, 4 figures