中文

单InAs/GaAs量子点中长寿命发射动力学分析

量子物理 2021-02-02 v1

摘要

对于单InAs/GaAs量子点(QD)样品,已报道了具有非单指数衰减特性的极长寿命发射,其中在润湿层(WL)中存在长寿命亚稳态[ACS Photonics 2020,7,3228-3235]。在本文中,我们提出了一种新的三能级模型来模拟发射衰减曲线。在该模型中,假设亚稳态中的激子将扩散并被QD俘获,然后在QD中发射荧光,推导出力伸指数衰减公式I(t)=Atβ1e(rt)βI(t)=At^{{\beta}-1}e^{-(rt)^{\beta}},该公式能很好地描述长寿命衰减曲线,其平均寿命解析表达式为<τ>=1/rΓ(1/β+1)<{\tau}>=1/r{\Gamma}(1/{\beta}+1),其中Γ{\Gamma}为Gamma函数。此外,基于所提出的三能级模型,还获得了能很好拟合实测g2(t)g^2 (t)曲线的二阶自关联函数g2(t)g^2 (t)表达式。

关键词

引用

@article{arxiv.2102.00791,
  title  = {Analysis of Emission Dynamics of a Long Lifetime in Single InAs/GaAs Quantum Dots},
  author = {Junhui Huang and Hao Chen and Zhiyao Zhuo and Jian Wang and Shulun Li and Kun Ding and Haiqiao Ni and Zhichuan Niu and Desheng Jiang and Xiuming Dou and Baoquan Sun},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2102.00791},
  year   = {2021}
}

备注

13 pages, 2 figures