用于电信 O 波段单光子源的 InGaAs 量子点的量子效率与振子强度
应用物理
2021-08-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了基于时间分辨光致发光光谱的实验结果，以确定 InGaAs 量子点（QD）的振子强度（OS）和内部量子效率（IQE）。利用应变减小层（SRL），这些量子点可用于制造发射于电信 O 波段的单光子源（SPS）。如 J. Johansen 等人 Phys. Rev. B 77, 073303 (2008) 中所提出并应用于发射波长低于 1 m 的 InGaAs 量子点，OS 和 IQE 是通过在量子点位置改变光学态密度来确定辐射与非辐射衰减速率而评估的。为此，我们对具有不同盖层厚度的量子点样品进行了测量，盖层厚度由受控湿法化学蚀刻工艺实现。通过数值建模辐射与非辐射衰减速率对盖层厚度的依赖关系，我们确定了长波长 InGaAs 量子点的 OS 为 24.6 3.2，且 IQE 约为 (85 10)%。
引用
@article{arxiv.2106.05351,
title = {Quantum Efficiency and Oscillator Strength of InGaAs Quantum Dots for Single-Photon Sources emitting in the Telecommunication O-Band},
author = {Jan Große and Pawel Mwrowinski and Nicole Srocka and Stephan Reitzenstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.05351},
year = {2021}
}