磁场下 Al-InAs 纳米线-Al 结中的微波辅助单向超导
介观与纳米尺度物理
2024-11-21 v2
摘要
在特定的对称性破缺条件下，超导系统会表现出不对称的临界电流，这被称为“超导二极管效应”。近期，具有理想超导二极管效率或单向超导性的系统受到了广泛关注。在本工作中，我们研究了微波辐照和磁场下的 Al-InAs 纳米线-Al 约瑟夫森结。我们观察到在微波驱动下超导二极管效应的增强，其特征表现为伏安特性曲线中零电压阶的水平偏移随微波功率增加而增大。在足够高的驱动振幅下，器件进入单向超导状态。该偏移随磁场方向的反转而改变符号。同时，当微波功率和磁场均较大时，偏移量对以 dBm 为单位的微波功率表现出大致线性的响应。所观察到的特征让人联想到近期使用电阻分流结（RSJ）模型的理论方案。然而，RSJ 模型并不能完全解释这些实验结果，这表明单向超导可能存在一种新机制，该机制可能与周期性驱动超导系统中的非平衡动力学或耗散有关。
引用
@article{arxiv.2402.02137,
title = {Microwave-assisted unidirectional superconductivity in Al-InAs nanowire-Al junctions under magnetic fields},
author = {Haitian Su and Ji-Yin Wang and Han Gao and Yi Luo and Shili Yan and Xingjun Wu and Guoan Li and Jie Shen and Li Lu and Dong Pan and Jianhua Zhao and Po Zhang and H. Q. Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.02137},
year = {2024}
}