外延 Al-InAs 约瑟夫森结中超导二极管效应的符号反转

近来研究超导二极管效应（SDE）的兴趣激增，部分原因在于其可能揭示材料系统的内禀性质。有限磁场下 SDE 的符号改变此前被归因于不同机制。在此，我们在具有强 Rashba 自旋轨道耦合（SOC）的外延 Al-InAs 约瑟夫森结中观察到 SDE。我们表明该效应强烈依赖于面内磁场的取向。在强磁场存在下，我们观察到 SDE 的符号改变。超电流的模拟与测量表明，取决于超导宽度 $W_\text{S}$，该符号改变未必与 0--$\pi$ 或拓扑转变相关。我们发现，具有窄 $W_\text{S}$ 的结中最强的符号改变与磁场反演下 SOC 诱导的临界电流不对称性一致，而在较宽 $W_\text{S}$ 中，符号反转可能与 0--$\pi$ 转变及拓扑超导有关。