磁电边界的两种规范场模型

本工作引入了一个场论模型，用于模拟具有磁电性质的材料层。该模型由标准的Maxwell场耦合到平面层上的Chern-Simons场组成。通过Maxwell场和Chern-Simons场之间的相互作用来模拟边界的电磁行为，该相互作用由两个参数控制：Chern-Simons质量和场之间的耦合常数。这两个参数可以调整以反映不同材料的特定属性。我们计算了该理论的精确传播子，并利用它来探讨Several physical properties. 我们的分析聚焦于由与Maxwell场和Chern-Simons场耦合的外部源引起的现象，考虑各种情形。在Chern-Simons子系统中，外部源模拟材料层晶格中的缺陷。本文的主要目标是提出该模型并在单个平面材料界面上探讨其行为。我们还建议将模型扩展到更一般的配置。