InP 纳米线中 InAsP 双量子点间隧穿耦合的磁场调控
量子物理
2021-11-16 v5
摘要
我们从实验和理论两方面研究了构成垂直堆叠双量子点分子的量子点之间耦合的面内磁场依赖性。该 InAsP 分子在外延生长于 InP 纳米线中，并在毫开尔文温度下进行光学探测。通过调整样品几何结构，研究了导致成键-反成键分子轨道对形成的点间隧穿强度。对于特定几何结构，我们展示了可利用磁场介导的点间耦合强度重分布对点间耦合进行原位控制。这是未来量子信息技术所需量子比特发展的重要里程碑。
引用
@article{arxiv.2103.07819,
title = {Magnetic tuning of tunnel coupling between InAsP double quantum dots in InP nanowires},
author = {Jason Phoenix and Marek Korkusinski and Dan Dalacu and Philip J. Poole and Piotr Zawadzki and Sergei Studenikin and Robin L. Williams and Andrew S. Sachrajda and Louis Gaudreau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.07819},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 3 figures