并联耦合InAs量子点中双电子杂化与自旋态的调控

我们研究并联耦合双量子点（DQDs）在单电子与双电子区中的自旋输运。该DQDs由InAs纳米线通过晶相工程与静电门控相结合形成，其点间隧穿耦合（$t$）可在一个数量级范围内调节。大的单粒子能隙（高达10 meV）与$|g^*|$因子（$\sim$10）使得能够详细研究随$t$变化的、由磁场诱导的单态到三重态基态转变。我们特别探究了自旋轨道诱导的单态-三重态反交叉的幅度如何依赖于$t$。在强耦合情形下，我们利用激发态谱学测得反交叉值为230 $\mu$eV。基于速率方程及每个量子点含单个轨道的DQDs模型的计算重现了实验结果。