基于 GaAs 量子点的纠缠光子发射器中电荷的光中和

基于半导体的成对光子纠缠发射器是光子量子技术中有前景的组成部分。它们以按需产生低多光子发射、近乎完美纠缠保真度及高单光子不可区分性的离散光子态的能力而著称。然而，量子点通常受发光闪烁影响，降低了源的效率，并阻碍其在量子网络中的可扩展应用。在本文中，我们研究并调节了在中性双激子双光子共振激发下 GaAs/AlGaAs 量子点中中性激子发射的间歇性。我们研究了量子点发射对附加波长可调栅激光的光谱与量子光学响应，揭示了由电荷俘获过程引起的本征库仑阻塞所导致的闪烁。我们的发现表明，通过控制量子点附近自由电子与空穴的平衡，可主动抑制发射猝灭，从而将量子效率显著提升 30%。