浅刻蚀 AlGaAs/GaAs 量子线中动态光致放大效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们报告了量子线中动态光致放大效应，这些量子线通过浅刻蚀技术在 AlGaAs/GaAs 量子阱中进行光 lithography 制造。该效应允许通过量子线横向的光致响应将量子线的一维亚能级分辨为最大值。我们通过解释量子阱价带中光诱导空穴位移量子线的化学势来解释结果。量子线的非线性电压-电流特性也允许检测量子阱导带中多余载流子的光致响应效应。光致放大动力学受电子和空穴复合时间的限制。
关键词
引用
@article{arxiv.0806.1110,
title = {Dynamic photoconductive gain effect in shallow-etched AlGaAs/GaAs quantum wires},
author = {K. -D. Hof and C. Rossler and S. Manus and J. P. Kotthaus and A. W. Holleitner and D. Schuh and W. Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.1110},
year = {2009}
}