强关联量子阱中的反常质量增强

我们利用动力学平均场理论研究了由 $t^1_{2g}$ 电子系统构成的强关联量子阱的电子性质。重点在于此类量子阱的子带结构。我们发现有效质量随子带底能量的升高而增大，即随子带占据数的减少而增大。这是由于库仑排斥（其在表面层上的效应被增强）与长程跃迁的共同作用所致。我们讨论了这些结果对近期 SrVO$_3$ 薄膜角分辨光电子能谱实验的启示。