背栅GaAs量子阱中的微波诱导电阻振荡
介观与纳米尺度物理
2017-09-01 v1
摘要
我们在一个密度可调的GaAs/AlGaAs量子阱中，利用微波诱导电阻振荡进行了有效质量测量。我们的主要结果是清晰地观察到有效质量随密度降低而增加，这与早期利用Shubnikov-de Haas振荡研究有效质量密度依赖性的工作总体一致。这一发现提供了进一步的证据，表明微波诱导电阻振荡对电子-电子相互作用敏感，并为获取有效质量提供了一种便捷且精确的方法。
引用
@article{arxiv.1708.09834,
title = {Microwave-induced resistance oscillations in a back-gated GaAs quantum well},
author = {X. Fu and Q. A. Ebner and Q. Shi and M. A. Zudov and Q. Qian and M. J. Manfra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.09834},
year = {2017}
}
备注
4 pages, 4 figures