密度对背栅控 GaAs 量子阱中微波诱导电阻振荡的影响
介观与纳米尺度物理
2019-04-08 v1
摘要
我们报道了在可调密度的 30 纳米宽 GaAs/AlGaAs 量子阱中的微波诱导电阻振荡（MIROs）。我们发现 MIRO 振幅随载流子密度急剧增加。我们的分析表明，预期的有效微波功率和量子寿命随密度的增加不足以解释观测到的振幅增长。我们进一步观察到，基本振荡极值随密度增加向回旋共振移动，这也与理论预测相矛盾。这些发现表明，现有理论未能正确刻画密度依赖性，亟需进一步研究。
引用
@article{arxiv.1904.03140,
title = {Effect of density on microwave-induced resistance oscillations in back-gated GaAs quantum wells},
author = {X. Fu and M. D. Borisov and M. A. Zudov and Q. Qian and J. D. Watson and M. J. Manfra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.03140},
year = {2019}
}
备注
5 pages + supplemental material