Ge/SiGe 量子阱中霍尔场诱导的电阻振荡
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v1
摘要
我们报告了对置于直流电场和高频微波辐射下的纯 Ge/SiGe 量子阱中高迁移率二维空穴气的磁输运研究。我们发现，在施加直流偏压下，微分电阻率在磁场处表现出显著的极大值，该磁场随施加电流线性增加。我们将此极大值归因于霍尔场诱导电阻振荡 (HIRO) 的基峰，已知这种现象发生于 GaAs/AlGaAs 系统中的二维电子气。在考虑 Dingle 因子修正后，我们发现 HIRO 峰的位置很好地由空穴有效质量 描述，该值源自同一样品的微波光电阻测量。
引用
@article{arxiv.1405.1093,
title = {Hall field-induced resistance oscillations in Ge/SiGe quantum wells},
author = {Q. Shi and M. A. Zudov and O. A. Mironov and D. R. Leadley},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.1093},
year = {2015}
}