MgZnO/ZnO 异质结构中的霍尔场诱导电阻振荡
介观与纳米尺度物理
2017-02-09 v1
摘要
我们报道了在 MgZnO/ZnO 异质结构所承载的二维电子气中的非线性磁输运。在施加直流电流时，我们观测到显著的霍尔场诱导电阻振荡（HIRO），这在高迁移率 GaAs/AlGaAs 量子阱的实验中已为人所知。HIRO 对无序势短程分量的独特敏感性使我们能够明确确定，我们的 MgZnO/ZnO 异质结构的迁移率受限于位于二维通道内部或附近的杂质。证明 HIRO 可以在比先前研究体系迁移率低得多、密度高得多且有效质量大得多的体系中实现，突显了该现象的显著普适性及其在广泛新兴二维材料研究中应用的巨大前景。
引用
@article{arxiv.1702.02557,
title = {Hall field-induced resistance oscillations in MgZnO/ZnO heterostructures},
author = {Q. Shi and M. A. Zudov and J. Falson and Y. Kozuka and A. Tsukazaki and M. Kawasaki and K. von Klitzing and J. Smet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.02557},
year = {2017}
}