MgZnO/ZnO异质结在近零偏压下的非线性响应
介观与纳米尺度物理
2017-10-11 v1
摘要
我们报告了在弱直流电流作用下MgZnO/ZnO异质结的磁输运特性。我们发现在朗道能级重叠的区域，微分电阻率获得一个与电流平方和丁格尔因子均成正比的量子修正。分析表明，该微分电阻率修正主要由电流诱导的电子分布函数改变所主导，并使我们能够同时获取量子散射率和非弹性散射率。
引用
@article{arxiv.1708.09841,
title = {Nonlinear response of a MgZnO/ZnO heterostructure close to zero bias},
author = {Q. Shi and M. A. Zudov and J. Falson and Y. Kozuka and A. Tsukazaki and M. Kawasaki and J. Smet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.09841},
year = {2017}
}
备注
4 pages, 3 figures