MgZnO/ZnO 异质结中二维电子系统依赖于偏振的朗道能级交叉
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v2
摘要
我们报告了在倾斜磁场下对限制在 MgZnO/ZnO 异质界面处的高迁移率二维电子系统进行的电输运测量。对自旋分辨朗道能级 (LLs) 多次交叉事件的观测使得电子态序列的绘制成为可能。我们进一步测量了零场下电子自旋磁化率的重正化及其对电子自旋极化的依赖性。后者表现为对泡利自旋磁化率的偏离。结果是，自旋分辨朗道能级的交叉移至更小的倾斜角，即使磁场仅具有垂直于二维电子系统 (2DES) 平面的分量，第一个朗道能级重合事件也不存在。
引用
@article{arxiv.1409.7761,
title = {Polarization dependent Landau level crossing in a two-dimensional electron system in MgZnO/ZnO-heterostructure},
author = {D. Maryenko and J. Falson and Y. Kozuka and A. Tsukazaki and M. Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.7761},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures