大填充因子下二维电子系统中的零微分电阻
介观与纳米尺度物理
2011-05-10 v1
摘要
我们报道了一种在高迁移率二维电子系统的极高朗道能级中观察到的、以零微分电阻为特征的状态。该状态源于低温下霍尔场诱导的电阻振荡的最小值，存在于一个连续磁场范围内，该范围远低于舒布尼科夫-德哈斯效应的起始点。维持该状态所需的最小电流在很大程度上与磁场无关，而最大电流则随磁场增加而增大，这对应于朗道能级间散射的起始点。
引用
@article{arxiv.1007.2832,
title = {Zero differential resistance in two-dimensional electron systems at large filling factors},
author = {A. T. Hatke and H. -S. Chiang and M. A. Zudov and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.2832},
year = {2011}
}