光照对 GaAs 量子阱中量子寿命的影响
介观与纳米尺度物理
2019-04-08 v1
摘要
已知在低温下对 GaAs 量子阱中的二维电子气进行光照可大幅改善高场磁输运的质量。已知这种改善甚至在载流子密度和迁移率保持不变时也会发生，但其确切成因仍不清楚。在此，我们研究光照对低磁场下微波光电阻的影响。我们发现微波诱导电阻振荡的振幅在光照后显著增大。Dingle 分析表明，这种增大反映了单粒子（量子）寿命的显著增加，其可能源于光诱导的电荷重新分布增强了掺杂层的屏蔽能力。
引用
@article{arxiv.1904.03146,
title = {Effect of illumination on quantum lifetime in GaAs quantum wells},
author = {X. Fu and A. Riedl and M. Borisov and M. A. Zudov and J. D. Watson and G. Gardner and M. J. Manfra and K. W. Baldwin and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.03146},
year = {2019}
}