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高迁移率GaAs/AlGaAs器件中辐射诱导的振荡式霍尔效应

介观与纳米尺度物理 2009-11-10 v2

作者: R. G. Mani , V. Narayanamurti , K. von Klitzing , J. H. Smet , W. B. Johnson , V. Umansky

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摘要

我们考察了在高迁移率GaAs/AlGaAs器件中，霍尔效应在微波激发下的修改。激发后霍尔效应的修改表现为：(a)相对于暗值，霍尔电阻曲线斜率有小幅减小，(b)霍尔电阻R_xy的幅值定期减小，与对角电阻R_xx的增加相关，以及(c)霍尔电阻校正在对角电阻消失时消失。

关键词

霍尔效应辐射诱导高迁移率 GaAs/AlGaAs 微波激发

引用

@article{arxiv.cond-mat/0310474,
  title  = {Radiation induced oscillatory Hall effect in high mobility GaAs/AlGaAs devices},
  author = {R. G. Mani and V. Narayanamurti and K. von Klitzing and J. H. Smet and W. B. Johnson and V. Umansky},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310474},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages text, 4 color figures