二维电子体系中辐射诱导的霍尔电阻率振荡
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
我们考察了微波辐射对二维电子体系中霍尔电阻率的影响。结果表明，光子助力杂质散射会导致导电性和电阻率张量的耗散和霍尔分量对辐射频率与循环频率比值的振荡依赖。霍尔电阻率可以包含由微波辐射诱导的分量，该分量是磁场的偶函数。耗散电阻率振荡的相位与其振荡幅值的偏振依赖性与霍尔电阻率振荡进行比较。该模型可阐明最近实验观察到的辐射诱导霍尔效应的结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310757,
title = {Radiation induced oscillations of the Hall resistivity in two-dimensional electron systems},
author = {V. Ryzhii},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310757},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 1 figure