高迁移率量子霍尔系统中的巨微波光电阻效应
介观与纳米尺度物理
2011-05-10 v1
摘要
我们报道了在弱磁场和低温下的高迁移率二维电子系统中观察到的极强微波光电阻效应。该效应表现为一个巨微波诱导电阻峰，与微波诱导电阻振荡不同，它仅在回旋共振的二次谐波附近且仅在足够高的微波频率下出现。该峰值出现在与微波强度呈线性关系的区域，其强度可比微波诱导电阻振荡高出一个数量级以上，且无法用现有理论解释。
引用
@article{arxiv.1105.1390,
title = {Giant microwave photoresistivity in a high-mobility quantum Hall system},
author = {A. T. Hatke and M. A. Zudov and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.1390},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 4 figures