超高迁移率二维电子系统光电流中共振峰偏移

我们报道了关于超洁净二维电子系统在受辐照磁电阻的回旋共振谐波处出现强峰的理论研究。研究动机是一项完全出乎意料的实验观测：在二次谐波处出现强电阻峰。我们将辐射驱动电子轨道模型（先前用于研究光电流振荡与零电阻态）扩展至超洁净情形，即更长的散射时间与更长的平均自由程。因此，当平均自由程在能量上等价于两倍回旋能量（$2\hbar w_{c}$）时，电子表现得如同处于两倍于实际施加的有效磁场下。于是，在高辐射功率和/或低温下，可在二次谐波处观察到电阻尖峰。对于更洁净的样品，能量距离可增至回旋能量的三或四倍，从而在更高谐波（第三、第四等）处产生电阻峰，即随着样品质量提高，共振峰向更低磁场偏移。因此，通过选择样品迁移率，无需改变辐射频率即可自动选定辐射共振响应。