由电磁波激发诱导的GaAs/AlGaAs异质结构中的零电阻态
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
我们报告检测到在超高迁移率GaAs/AlGaAs异质结构器件中，通过电磁波激发在低磁场B下、在大填充因子极限条件下诱导的新型零电阻态。观察到的电阻在B = [4/(4j+1)] B_f 附近消失，其中B_f = 2πf m*/e，m*为有效质量，e为电荷，f为微波频率。该效应随f、温度和功率的依赖性被报道。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407367,
title = {Zero-Resistance States Induced by Electromagnetic-Wave Excitation in GaAs/AlGaAs Heterostructures},
author = {R. G. Mani},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407367},
year = {2009}
}
备注
Proc. EP2DS-15 [Nara (Japan), 14-18 July 2003]; 5 Pages, 10 Color Figures