双层电子系统中的微波零电阻态
介观与纳米尺度物理
2010-07-09 v1
摘要
在宽GaAs量子阱中形成的高迁移率电子双层系统的磁输运测量显示，在连续微波辐照下耗散电阻消失。即使在存在额外子带间电子散射的情况下，也出现了显著的零电阻态。我们研究了光电阻对频率、微波功率和温度的依赖性。将实验结果与理论进行比较，表明绝对负电阻的条件与零电阻态的出现相关。
引用
@article{arxiv.1007.1393,
title = {Microwave zero-resistance states in a bilayer electron system},
author = {S. Wiedmann and G. M. Gusev and O. E. Raichev and A. K. Bakarov and J. C. Portal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.1393},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 4 figures